高品质TCO薄膜在硅基异质结太阳电池(SHJ)的应用
本文采用反应等离子沉积方法分别制备了锡掺杂的氧化铟(ITO)和钨掺杂的氧化铟(IWO)薄膜,并研究氧气与氩气的比例(Ro)对ITO和IWO薄膜光电性能的影响.通过优化工艺,制备了透过率超过95%的ITO薄膜和迁移率超过80cm2/V.s的IWO薄膜.虽然IWO的电导率和透过率均比ITO差,但由于其低的自由载流子寄生吸收,基于IWO的SHJ太阳电池光电转化效率超过22%,比基于ITO的SHJ太阳电池高0.6%.
太阳电池 氧化铟薄膜 锡掺杂 钨掺杂 反应等离子沉积 光电转化效率
石建华 沈磊磊 孟凡英 刘正新
新能源技术中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,201800;中国科学院大学,北京,100039 新能源技术中心 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,201800
国内会议
上海
中文
1-7
2016-11-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)