InP基宽光谱高速光探测器
本论文介绍了一种新型InP基宽光谱高速光探测器,入射光波长在850nm到1550nm范围内都有很好的高速特性.通过在顶部外延层采用带隙较高的材料In0.52Al0.48As的方法解决了传统InP基光探测器工作在短波长时由于顶部InP层严重的表面复合现象导致的带宽和响应度急剧下降的问题.理论和仿真的结果显示:在反偏电压为3V的条件下,有源区面积为20μm2的器件的3dB带宽在850nm、13lOnm和1550nm波长入射光时分别达到62.5GHz、61.7GHz和60.3GHz,对应的响应度分别为0.459A/W、0.517A/W和0.41A/W.
磷化铟基光探测器 入射光波 表面复合现象 带宽参数 响应度
刘正
中国电信股份有限公司北京分公司
国内会议
北京
中文
22-28
2016-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）