基于雪崩光电二极管的主被动盖革电路研究与设计

摘要：

本文基于APD(雪崩光电二极管),设计了两种盖革模式电路,旨在验证盖革模式下APD对单光子的探测能力.本文通过仿真软件完整的设计了主动盖革电路,该电路目标是提高系统信噪比,把探测死时间由1μs缩短至100ns,最终应用到手持通信系统中.

关键词： 雪崩光电二极管 盖革模式 电路设计 死时间

作者: 邢怀昌

作者单位: 中科院上海技术物理研究所,上海 200083

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年红外、遥感技术与应用研讨会暨交叉学科论坛

会议地点: 常州

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2016-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）