硅晶体生长过程中孪晶形成的分子动力学模拟研究
通过分子动力学方法模拟研究了硅晶体生长过程中孪晶的形成,采用Tersoff势计算硅原子间相互作用.主要考察了硅晶体沿(110)、(100)、(111)与(112)面生长时孪晶的形成规律.结果发现:晶体沿(111)面生长时,(111)生长面保持相对光滑平整,形成的孪晶界平行于固液界面;晶体沿(110)、(100)和(112)面生长时,初始光滑的生长面会被”111”小面包围,演变成小面夹角为70.5°或109.5°的“之”字型界面,形成的孪晶界则平行于这些”111”小面.孪晶的形成是一个”111”面上HCP结构逐渐长大至占据整个区域的过程.不同生长面孪晶形成的难易程度由小到大的顺序为:(100)面＜(110)面＜(112)面＜(111)面.
硅晶体 生长过程 孪晶 形成机理 分子动力学模拟
张弛 常章用 罗耀榕 周耐根 周浪
南昌大学材料科学与工程学院 330031
国内会议
大连
中文
437-445
2016-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）