通过调整氟化偶氮苯基分子的对称性和极性提升存储性能
(0) 三种氟化偶氮苯基分子被选为有记忆活性的分子:有着D-A2-D对称结构的分子FAZO-1,有着A1-A2-A1对称结构的分子FAZO-2和有着D-A2-A1对称结构的分子FAZO-3.FAZO-1和FAZO-2都拥有较低的分子极性,而FAZO-3有着较高的极性.实验表明装有铟-锡氧化物(ITO)/FAZO-1/Al(Au)和(ITO)/FAZO-2/Al(Au)记忆器件都表现出不稳定的静态随机存取存储器(SRAM)性能,然而(ITO)/FAZO-3/Al(Au)器件却表现出非易读一次写多次(WORM)性能.值得注意的是这些器件的重复性相当高,这对记忆器件的实际应用非常重要.此外,通过理论计算发现这三种活性材料的不同记忆特性是因为电场诱导电荷转移复合物的稳定性不同.因此,记忆开关的行为可以通过分子的极性加以调整.
氟化偶氮苯基分子 记忆活性 对称性 极性 存储性能
刘全 董慧龙 李有勇 李华 陈冬赟 王丽华 徐庆锋 路建美
苏州大学材料与化学化工学部 苏州大学功能纳米与软物质研究院
国内会议
大连
中文
1166-1168
2016-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）