跨导增强型折角石墨烯场效应晶体管
分析研究了悬栅折角石墨烯场效应晶体管(FET)的输运特性,以及折角尖端场致发射特性.相比于悬栅平面石墨烯FET,折角石墨烯FET结构因急剧增大的电场强度可以有效地增强石墨烯沟道中电荷的积累,从而将跨导值提高了20倍.同时,局域增强的电场不可避免地引发场致发射导致漏电流,理论计算得到漏电流JFE随着内导电流JDS增大而增大的非线性关系曲线,其中JFE比JDS低4个数量级.通过折角结构提高悬栅石墨烯FET的栅极控制能力或跨导值是可能并且有效的方式.
场效应晶体管 折角石墨烯 场致发射特性 漏电流 跨导值 栅极控制
曹桂铭 刘卫华 曹猛 李昕 王小力
西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710048
国内会议
厦门
中文
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2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）