金刚石薄膜二次电子发射性能的研究

摘要：

CVD法所制备的金刚石薄膜自然地具有氢终端和负电子亲和势,非常有利于二次电子的发射.本文探讨了CVD法制备金刚石过程中,衬底温度对金刚石薄膜质量及形貌的影响,同时研究了所制备金刚石薄膜的二次电子发射特性.实验结果表明,金刚石薄膜的质量和形貌随衬底温度的改变而变化,当衬底温度为1050℃时,金刚石薄膜的二次电子发射系数最高,在200eV电子入射条件下所测得的二次电子发射系数达到5.

关键词： 金刚石薄膜 化学气相沉积 成膜质量 表面形貌 二次电子发射性能

作者: 魏孔庭 魏强 吴胜利

作者单位: 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）