真空沟道MOS二极管电子发射性能的数值模拟研究

摘要：

真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和固态电子器件的优点.本文提出一种圆形真空沟道MOS二极管结构,并对其电子发射性能开展基于有限积分技术(FIT)的数值模拟研究.结果表明,真空沟道半径大小影响空间电荷虚阴极的位置及电势大小,进而影响器件发射电流密度.相关研究结果有助于理解此类结构真空电子器件的工作原理,同时为进一步研究改进其性能提供理论依据.

关键词： 真空沟道 场效应晶体管 电子发射性能 有限积分技术

作者: 沈志华 王晓 吴胜利 田进寿

作者单位: 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049 西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西西安,710119

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）