ZnO纳米棒/纳米锥阵列制备及其场发射性质研究
采用化学气相沉积法在厚度约450nm的ZnO晶种层上分别生长了ZnO纳米棒/纳米锥阵列,并对其场发射特性进行了研究.研究结果发现:沿c轴择优取向的ZnO晶种层中含有较少缺陷;长度分别为7μm和3.5μm的Zn0纳米棒/纳米锥均沿”0001”方向生长,ZnO纳米棒/纳米锥包含大量氧空位缺陷;ZnO纳米棒顶端尺寸约150nm,而ZnO纳米锥具有非常尖锐的尖端;ZnO纳米棒/纳米锥的面密度分别为2.6×108/cm2和1.9×108/cm2;ZnO纳米锥具有相对较低的开启电场～6.1V/μm和较高的场增强因子～1641.本文对影响场发射性能的因素进行了讨论.
氧化锌 纳米棒阵列 纳米锥阵列 化学气相沉积法 场发射性能
曹培江 韩舜 王欣 刘新科 柳文军 贾芳 曾玉样 朱德亮 吕有明
深圳大学材料学院,广东深圳518060 吉林大学超硬国家重点实验室,吉林长春130012
国内会议
厦门
中文
1-5
2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）