ZnO缓冲层厚度对GaN纳米薄膜的场发射性能影响
为了获取具有质量良好的场发射GaN纳米薄膜,利用激光脉冲沉积系统(PLD)在衬底温度为300℃的Si衬底上分别沉积了38nm,50nm,64nm和130nm的ZnO缓冲层,随后在缓冲层之上(衬底温度850℃)生长了厚度为80nm的GaN纳米薄膜.对制备得出的样品进行了场发射性能测试,并且使用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜晶体结构和薄膜表面形貌进行了分析.实验表明ZnO缓冲层厚度为38nm的GaN纳米薄膜场发射性能优良,在设定电流密度为10μA/cm2时,开启电场仅为1.5V/μm;随着缓冲层厚度增加,纳米薄膜的场发射性能变差.
半导体阴极 氮化镓纳米薄膜 氧化锌缓冲层 脉冲激光沉积 场发射性能
宋志伟 沈震 王如志 严辉
北京工业大学材料科学与工程学院,北京市朝阳区平乐园100号 北京100124
国内会议
厦门
中文
1-5
2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）