不同厚度ZnO缓冲层下Al0.1Ga0.9N纳米薄膜制备及其场发射性能
本文利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同厚度ZnO缓冲层的AlGaN纳米薄膜,对此薄膜进行场致电子发射测试表明,开启电场随着缓冲层厚度的变化而变化,且ZnO缓冲层厚度为38nm的AlGaN薄膜开启电场最小,只有27.5V/μm,场发射特性要优于其他AlGaN薄膜.AlGaN薄膜的场发射性能随着缓冲层的厚度变化而变化,原因是缓冲层厚度较薄时非晶ZnO缓冲层的缺陷在ZnO禁带中形成缺陷施主能级较多,为AlGaN薄膜有效提供电子源,进而增强其场发射性能;而缓冲层厚度增大时缺陷能级减小,ZnO为AlGaN薄膜提供的电子源也随之减少,降低了AlGaN薄膜的场发射性能.
半导体阴极 氮化铝镓纳米薄膜 氧化锌缓冲层 脉冲激光沉积 场发射性能
沈震 宋志伟 王如志 严辉
北京工业大学材料科学与工程学院,北京市朝阳区平乐园100号 北京100124
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2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）