扩散阴极中毒特性评述
钡钨阴极,尤其是是覆膜钡钨阴极,因为其出色的热电子发射能力以及良好的抗气体中毒能力,是当前大功率微波器件中应用最为广泛的热电子源.阴极中毒,即非预期的阴极发射能力降低的现象是微波管生产与使用过程中出现概率最的高可靠性问题.本文主要就普通钡钨阴极及覆膜钡钨阴极的中毒表现进行介绍,并分析其过程机理,并就如何避免阴极中毒进行了讨论.一般初步的造成阴极表面覆盖度变化的中毒，都是可以恢复的，只要阴极脱离中毒气氛，阴极内部的钡就会快速补充到阴极表面，使得阴极的电子发射能力快速恢复。
微波器件 钡钨阴极 中毒现象 电子发射能力
于志强 邵文生 高玉娟 李季 张珂
北京真空电子技术研究所 北京749-36信箱,100015
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2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）