S波段低磁场同轴扩展互作用腔振荡器的粒子模拟研究

摘要：

设计了基于渡越时间效应的,能够在低磁场条件下工作的S波段同轴扩展互作用腔振荡器.调制腔部分采用同轴非均匀三腔结构,使调制腔在低磁场条件下能够对电子束进行稳定调制,增大束流调制深度,束流经过同轴漂移管的群聚后采用扩展互作用提取腔进行微波提取,整腔能够在低磁场条件下达到较高的输出效率.利用2.5维粒子模拟程序,在束压500kV、束流8kA、引导磁场0.31T的条件下,输出微波功率1.13GW,微波频率2.44GHz,电子效率为28.2％,为该类型器件的低磁场化设计奠定了基础.

关键词： 相对论扩展互作用腔振荡器 同轴非均匀三腔结构 渡越时间效应 低磁场条件 S波段 粒子模拟

作者: 张栋 黄华 陈代兵 王战亮 李士锋 宫玉彬

作者单位: 电子科技大学,物理电子学院,微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054;中国工程物理研究院,应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,绵阳,621990 中国工程物理研究院,应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,绵阳,621990 电子科技大学,物理电子学院,微波电真空器件技术重点实验室,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）