高占空比固态调制开关设计

摘要：

本文介绍了一种高占空比固态调制开关的设计,本设计利用MOSFET开通时的低阻抗特性和关断时的高阻抗特性,克服了脉冲变压器传输脉宽能力受限的缺点,使固态调制器脉宽得到充分的展宽.同时,通过实验验证了电路设计方案的可行性和有效性.

关键词： 脉冲调制器 固态调制开关 电路设计 金属氧化物半导体场效应管 阻抗特性 占空比

作者: 廖薇 王晓霞 罗积润 王刚 陈宇

作者单位: 中国科学院电子学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 1-3

在线出版日期: 2016-08-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）