本征型超低介电聚酰亚胺:结构设计及性能
在信息科技产业领域,微电子产品的多功能化、高性能化及轻薄化发展大大推动了超高密度和超大规模集成电路关键技术及材料的发展.为了解决高密度集成所带来的信号延迟和功率损耗等问题,新一代高性能低介电(ε＜3.0)甚至超低介电(ε＜2.2)材料的开发成为这一领域最重要的研究方向之一.聚酰亚胺作为重要的绝缘封装材料广泛应用于航天航空和微电子信息领域，然而，其介电常数3.5左右。因此，如何在保持其高性能化的同时有效降低聚酰亚胺的介电常数和介电损耗成为具有重要基础和实际意义的研究课题。本报告主要介绍本课题在该领域的研究进展。所采用的研究策略主要是通过利用刚性、非平面、非对称、大共扼结构单元，如三苯胺、三苯乙烯、四苯乙烯、药等结构，从分子水平上对聚合物化学结构和自由体积进行调控，构筑一系列高性能本征型超低介电常数聚酰亚胺薄膜。
绝缘封装材料 聚酰亚胺 分子设计 介电性能
张艺 钱超 贝润鑫 刘亦武 陈文欣 刘四委 池振国 陈旭东 许家瑞
中山大学,聚合物复合材料与功能材料教育部重点实验室,高性能树脂基复合材料广东省重点实验室,广东省高性能有机聚合物光电功能薄膜工程技术研究中心,化学与化学工程学院,广东,广州,510275
国内会议
2016年两岸三地高分子液晶态与超分子有序结构学术研讨会暨第十四届全国高分子液晶态与超分子有序结构学术论文报告会
南昌
中文
29-30
2016-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）