GaN/sapphire界面结构对外延晶体质量的调控
采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在蓝宝石(sapphire)衬底上生长具有不同形核厚度的GaN外延层,并研究了形核层厚度对GaN晶体质量的影响.利用AFM和HRXRD等测试手段对外延生长过程中不同阶段GaN的表面形貌和晶体质量进行观察和测定.通过AFM分析发现形核层退火后,样品表面呈现岛状的结构.增加形核层的厚度有利于获得大尺寸的岛,但是岛的均匀性会变差.HRXRD测试结果表明,大尺寸、尺寸均匀、密度低的形核岛对GaN外延薄膜的晶体质量是最有利的,这可以用位错的产生和演变机制来解释,而形核层厚度是控制形核岛尺寸和密度的有效手段之一.
半导体材料 氮化镓外延薄膜 蓝宝石 界面结构 形核层 晶体质量
尚林 翟光美 贾志刚 许并社
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室;山西省新材料工程技术研究中心,太原山西030024
国内会议
宁波
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870-877
2016-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）