GaAs基大功率半导体激光器界面调控与器件性能之间的关系
采用k·p方法,理论搭建的外延结构的基础上,对大功率激光器的能带结构以及光电性能进行了计算.同时,采用MOCVD方法制备了相应的InGaAs/GaAsP多量子阱有源区的激光器外延片.通过研究不同势垒高度的量子阱材料的界面结构,分析了激光器外延结构的中载流子的传输机制以及对光电性能的影响.首先生长了InGaAs/GaAsP多量子阱的结构,采用高分辨X射线衍射仪与表面反射率曲线对量子阱的晶体质量以及界面结构进行了研究,还表征了多量子阱的表面形貌特征.多量子阱的光致发光谱结果表明随着势垒高度的增加,发光强度逐渐增加.最后,根据理论计算模型的结构,制备了不同势垒高度的多量子阱结构激光外延片.经芯片加工,测试结果表明在势垒组分为0.145时,可以得到光电性能较好的激光芯片,其斜率效率可达1.14W/A,阈值电流为0.32A,内量子效率可达98％.
大功率半导体激光器 界面调控 能带结构 光电性能
董海亮 孙静 梁建 许并社
太原理工大学材料科学与工程学院,新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西太原030024
国内会议
宁波
中文
979-987
2016-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）