全硅结构MEMS微振动传感器制作关键工艺技术研究
电容式微振动传感器具有分辨率高、温度特性好等优点,但制作工艺复杂.国内设计的传感器多采用玻璃-硅-玻璃结构,电极引出相对复杂.本文就设计电容式微振动传感器采用四层全硅结构,电极可直接引出.传感器中间两层通过硅-硅键合形成质量块、梁膜结构和固支端.其质量结构部分的上下表面分别与上下两层固定极板的下表面形成一对差分电容.其中,KOH湿法腐蚀销角补偿工艺,弹性梁的ICP释放工艺,硅-硅键合工艺,金-金热压键合工艺是制约微振动加速度传感器制作的关键工艺.通过对这四项关键工艺的研究,完成了四层全硅结构微振动传感器样品的制作.
微振动传感器 微机电系统 全硅结构 制作工艺
张精华 李玉玲 张鹏
中国电子科技集团公司第四十九研究所 黑龙江哈尔滨150001
国内会议
成都
中文
678-682
2016-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）