CMOS和MEMS微热板的制备工艺及性能对比研究
用标准CMOS代工制造传感器可在低成本、高集成度、高良率等方面获益,但标准CMOS工艺固定不可修改,在传感器加工方面的适用性有待摸索.本文设计了四臂支撑悬空结构的微热板传感器,分别使用MEMS工艺和标准CMOS工艺,并采用正面体硅腐蚀形成微热板的悬空结构,成功制备出两种微热板,对工艺和器件性能进行了对比研究.CMOS微热板由华润上华晶圆厂6寸CMOS工艺线制造,以钨为加热丝,温阻系数为1.82‰/K;MEMS微热板由大工微系统中心制造,以铂为加热丝,温阻系数为2.1‰/K.CMOS微热板的选材和工艺虽然受标准工艺限制,但器件的功耗、热响应和热稳定性等性能均达到MEMS微热板水平.由于CMOS工艺线加工精度和效率均优于常见MEMS工艺线,因此更适合高集成度和大批量微热板的制造.
微热板传感器 制备工艺 热稳定性
李中洲 余隽 周君伟 耿万鑫 唐祯安
大连理工大学电子科学与技术学院 辽宁大连116024
国内会议
成都
中文
725-729
2016-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）