近红外光对硫化铋纳米片气体传感器气敏性能影响的研究
过渡金属硫化物的气敏性能已经被广泛的研究,硫化铋是一种斜方晶系半导体禁带宽度为1.3eV.本文利用溶剂热法合成了Bi2S3纳米片,在印有银叉指电极的氧化铝陶瓷片上旋涂制备出硫化铋纳米片薄膜,并采用Pb(NO3)2溶液对其进行表面处理.研究了不同近红外光强下Bi2S3纳米片半导体气体传感器对低浓度NO2的气敏性能,在近红外光强为7.8uW/cm2时传感器有较优的气敏性能,室温下对5ppm NO2的响应(Rg/Ra)为138.8,响应时间和恢复时间为19.41s和21.6s,最小探测率下限可达19.5ppb;与暗态相比光照下Bi2S3纳米片气敏传感器的性能得到了很大的提升.
硫化铋纳米片薄膜 溶剂热法 气体传感器 气敏性能 近红外光
阚皞 宋志龙 刘竞尧 张文楷 王阳 于号雄 刘欢 姜胜林
华中科技大学光学与电子信息学院,湖北武汉430074
国内会议
成都
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105-106
2016-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）