不同退火条件对ITO薄膜微结构及电学特性的影响
氧化铟锡(ITO)是一种n型简并半导体材料ITO薄膜作为一种透明导电薄膜被广泛应用于LCD领域,同时也可以作为一种高温薄膜热电偶电极材料.本文采用射频溅射的方法在取向为(100)的单晶硅基片上制备了透明导电氧化铟锡(ITO,In2O3与SnO2质量比为90∶10)薄膜.将制备出的ITO薄膜分别置于N2、O2和大气的气氛环境下进行退火处理,退火温度为600-1000℃,保温时间为1h.分别采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针的测试仪对退火处理后的薄膜进行了微结构及电学特性的测试表征.分析结果表明,不同退火条件对ITO薄膜的微结构及电学特性有着显著的影响.
导电氧化铟锡薄膜 射频溅射 退火处理 微结构 电学特性
李海涛 孙秀耀 赵晓辉 蒋洪川
电子科技大学,微电子与固体电子学院,成都610054
国内会议
成都
中文
228-230
2016-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）