铝合金上电镀厚镉及中国散粒中子源耦合层制造
散裂中子源利用荷能质子轰击重核后产生高通量中子.慢化器是调控中子的关键部件.此前国际上用铆钉铆接镉皮和铝合金部件,存在慢化剂泄漏的潜在风险,同时铆钉铆接处也给物理建模增加难度.常规电镀的镀层厚度是微米级,在活性的铝合金上施加一层厚达1mm的镉镀层难度很大.本文介绍了铝合金上电镀厚镉的无氰电镀方法、参数及其中国散粒中子源耦合层的制造.
铝合金 电镀厚镉 无氰电镀 散裂中子源耦合层
陆春海 徐真 陈敏 胡春明 张琪 邱杰 何亮 唐清枫
成都理工大学核技术与自动化工程学院,四川成都610059 西南科技大学国防科技学院,四川绵阳621010 中国科学院高能物理研究所散裂中子源中心,广东东莞523770
国内会议
宁波
中文
469-475
2016-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）