基于电化学的化学机械平坦化终点检测方法及实验研究
作为集成电路制造中广泛应用的全局平坦化技术,化学机械平坦化利用化学腐蚀和机械磨削的协同效应实现最佳的抛光效果.随着晶圆尺寸的持续增加,如何检测到可靠的CMP终点并实现可控平坦化尤为关键.终点检测技术可准确预测抛光终点,避免欠抛或者过抛,进而有效减少残留等缺陷的发生.随着研究的深入,传统的终点检测方法已显粗糙.本项目旨在研究新型终点检测方法及CMP缺陷产生机理,为低缺陷CMP终点检测技术提供理论依据和方法指导.
集成电路 化学机械平坦化 终点检测 协同效应
王同庆
清华大学
国内会议
沈阳
中文
342-342
2016-08-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）