原子层淀积Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3薄膜晶体管存储器的研究

摘要：

采用原子层淀积制备了以Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3叠层结构为栅介质层的非晶铟镓锌氧(a-IGZO)沟道的薄膜晶体管(TFT)存储器.原子层淀积的Ni纳米晶平均直径约为3-4nm,密度约为1.01×1012cm-2,制备的存储器器件表现出良好的编程和电擦除特性,器件在14V,5ms下编程和在-15V,300ms下擦除条件下,器件的存储窗口达到2.62V.

关键词： 薄膜晶体管存储器 原子层淀积 叠层结构 镍纳米晶 三氧化二铝

作者: 钱仕兵 丁士进

作者单位: 微电子学院,复旦大学,上海201203

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 105-107

在线出版日期: 2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）