半浮栅晶体管性能研究

摘要：

半浮栅晶体管(SFGT)同时具有操作速度快和存储密度高两个特点,而且它的制造工艺和电可擦除只读存储器(EEPROM)高度兼容.本文对半浮栅晶体管注入剂量、抗干扰特性和操作电压等进行了相关的研究.

关键词： 半浮栅晶体管 抗干扰特性 注入剂量 操作电压

作者: 姚尧 林曦 王鹏飞

作者单位: 微电子学院,复旦大学,上海200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 126-128

在线出版日期: 2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）