一种基于半分析法的MOSFET小信号参数的提取方法

摘要：

半分析法应用于提取金属-氧化物半导体场效应晶体管小信号模型的参数,直接提取法应用于测试结构的焊盘电容和寄生电感的参数提取.在频率高达40G的范围内,90nm的MOSFET器件的模拟的S参数和测试的S参数曲线吻合良好.

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管 小信号模型 参数提取 半分析法

作者: 周影

作者单位: 信息学院,华东师范大学,上海200241

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 148-150

在线出版日期: 2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）