一种GaN HEMT器件寄生电容的提取方法

摘要：

本文提出了一种GaN HEMT器件寄生电容的提取方法——测试结构方法,该方法是在芯片上制作特殊的测试结构,测试结构和器件测试结构尺寸一致,只不过不包含有源器件而已,仅由栅极、漏极和源级的PAD组成,通过测试该结构的S参数来提取寄生电容.本文所用的测试结构为共面波导结构(CPW).

关键词： 高电子迁移率晶体管器件 氮化镓材料 寄生电容 提取方法

作者: 孔令强 高建军

作者单位: 华东师范大学,信息与科学技术学院,上海201604

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 189-190

在线出版日期: 2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）