一种基于量子隧道效应提高石墨烯FET开关比的方法

摘要：

由于单层石墨烯无本征禁带宽度,传统的石墨烯MOSFET的开关比非常小,且容易受基底散射影响导致载流子迁移率急剧下降,严重影响器件性能,本文主要研究运用量子隧道效应来制备新型石墨烯FET器件以提高器件开关比,并通过改善石墨烯与基底界面接触来提高石墨烯FET器件的载流子迁移率的工艺方法.

关键词： 石墨烯场效应晶体管 开关比 载流子迁移率 量子隧道效应

作者: 何伟 屈新萍

作者单位: 微电子学院,复旦大学ASIC和系统国家重点实验室,上海邯郸路220号200433

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 206-208

在线出版日期: 2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）