STI隔离的130nm SOI CMOS器件不同沟道长度的总剂量效应

摘要：

在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对器件特性产生影响.研究表明,沟道越短,泄漏电流越大,辐照会增强短沟道效应.

关键词： CMOS器件 总剂量效应 短沟道效应 绝缘埋层 浅沟槽隔离 沟道长度

作者: 张梦映 胡志远 宁冰旭 宋雷 戴丽华 刘小年 张正选

作者单位: 信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;中国科学院研究生院,北京100039 信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 209-213

在线出版日期: 2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）