GaN HEMT大信号等效电路模型的参数提取

摘要：

在小信号模型的基础上对GaN HEMT器件的大信号模型进行了分析,重点研究了EEHEMT非线性等效电路模型,用分段函数表征了模型中的非线性元件.对栅宽为2×100μm、栅长为0.25μm的GaN HEMT器件进行了EEHEMT模型的参数提取,并在不同的直流偏置下对模拟S参数和测量S参数进行了对比,两者吻合得很好,验证了提取的模型参数的准确性.

关键词： 氮化镓高电子迁移率晶体管器件 等效电路模型 参数提取 直流偏置

作者: 骆丹婷 沈溧 高建军

作者单位: 信息与科学技术学院,华东师范大学,上海201203

会议类型: 国内会议

会议名称: 2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 246-249

在线出版日期: 2016-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）