碳化硅电力电子器件应用前景展望
电力电子器件是采用半导体材料制造、用于实现电能高效转换的开关控制电子器件,包括功率半导体分立器件、模块和组件.电力电子器件经历了以晶闸管为核心的第一代器件,以及以金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的第二代器件.随着电力电子器件性能的不断提高,硅材料的物理局限性日益显现,严重制约了硅器件的工作电压、工作电流、工作频率、工作温度、耗散功率和抗辐射等性能的提高.近年来,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代(宽禁带)半导体材料迅速发展,开启了电力电子器件技术的新局面,电力电子器件技术和产业迎来了一个更大的发展机遇.在报告中首先讨论国内外碳化硅电力子器件的技术前沿和发展趋势;其次，讨论国内外碳化硅电力电子器件产业的发展现状;然后，讨论碳化硅器件在应用方面的应用前景。
电力电子器件 碳化硅 技术开发
盛况
浙江大学 电力电子应用国家工程中心
国内会议
苏州
中文
10-10
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）