单晶金刚石及电子器件的研究
金刚石薄膜集宽禁带(5.45eV)、低介电常数(5.5)、高击穿场强(＞10MV/cm)、高载流子迁移率(4500cm2·V-1·s-1(电子)、3800cm2·V-1·s-1(空穴))和高热导率(22W/cm/K)等优秀特性于一体,这使得金刚石半导体成为高温、高频、高效、大功率和传感器等器件的理想半导体材料,而且这些金刚石半导体器件可以工作在高温,高辐射、强腐蚀等恶劣环境下.除此之外,在室温下可以操作、且具有长自旋相干时间的金刚石NV色心,被认为是最有希望应用于量子信息处理的固体量子点.这些特性驱使科学家们深入地研究相关合成技术来开发大面积单晶金刚石衬底和高质量单晶金刚石薄膜,研究新结构的金刚石高频电子器件、功率电子器件和探测器等.将展示利用微波等离子体技术、飞秒激光加工技术和离子注入技术开发自支撑单晶金刚石衬底等结果。同时也将展示开发金刚石场效应管、肖特基二极管、紫外探测器等的一些新结果。
半导体材料 单晶金刚石 电子器件 产品开发
王宏兴 王玮 张景文 樊叔维 卜忍安 侯洵
宽禁带半导体材料与器件研究中心,西安交通大学,西安,710049
国内会议
苏州
中文
12-12
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）