SiC单晶生长及加工技术研究进展

摘要：

SiC材料作为第三代宽禁带半导体材料的代表,具有优良的物理性质和广阔的应用前景.本报告简单介绍了SiC材料的结构和基本性质,综述其在电力电子、光电子和微波器件中应用和其器件生产过程,回顾了晶体生长的历史,介绍现阶段PVT生长方法和LPE方法的进展.重点展示国内外SiC生长和加工技术的进展,包括生长技术、微管密度控制、晶体加工过程、电学性能和应用情况.

关键词： 碳化硅 单晶生长 加工工艺

作者: 徐现刚

作者单位: 山东大学

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 14-14

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）