GaN基材料生长与器件技术
基于氮化镓(GaN)材料的激光器、紫外探测器及HEMT器件都是当今世界的研究热点,而高质量的GaN材料生长技术、优化的器件工艺和器件设计是基础和关键.在GaN材料方面,深入研究了缓冲层原理,提出了独特的MOCVD外延方法,生长出高质量的GaN材料,室温下电子迁移率超过1000cm2/Vs,这是目前国际上公开报道的最好结果;创造了复合缓冲层结构,突破了AlN外延材料技术,采用常规MOCVD设备生长出高质量的AlN材料,其(002)、(102)面XRD半高宽仅为240、360秒,解决了AlN材料对高温生长设备的依赖问题;发现室温下GaN材料的应力状态主要取决于外延层和衬底之间的热失配,还发现GaN材料中的”黄光缺陷”和”蓝光缺陷”与刃位错紧密相关,并初步建立了GaN的光学、电学、结构性质的关系模型;发现了C杂质对p-GaN材料的补偿效应,提出了少量掺氧的p型杂质激活方法,解决了p型掺杂问题;采用C杂质补偿方法生长出低位错密度的半绝缘GaN材料,还生长出高质量的AlGaN/GaN二维电子气材料,室温电子迁移率达到2100cm2/Vs,方块电阻约249Ω.
氮化镓基材料 生长特性 碳杂质 补偿效应
赵德刚 朱建军 刘宗顺 陈平 杨辉
中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室
国内会议
苏州
中文
16-16
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）