Na基助熔剂法生长GaN体单晶的研究

摘要：

宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点.以GaN单晶基片作为衬底进行GaN的同质外延生长,是实现高压,高频,高温GaN半导体器件优异性能的关键.制备基片的高质量大尺寸GaN体单晶生长是世界晶体生长技术领域中的挑战.与其他GaN体单晶生长方法相比,采用Na助熔剂法生长GaN晶体的温度和压力条件一般为600-900℃,＜10MPa(N2),生长条件相对温和且成本相对较低.本论文采用自行研制的高氮压助熔剂法GaN晶体生长设备,研究了Na基助熔剂、温度条件、压力条件对GaN晶体生长的影响,获得了最大尺寸为6.5mm的黑色六方锥型和1.5mm的透明六方柱型GaN体单晶.探讨了生长速率对单晶形貌的影响.

关键词： 氮化镓 单晶生长 高氮压助熔剂法 形貌特征 生长速率

作者: 李振荣 吴熙 郝航飞 徐卓 范世骥

作者单位: 西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室,西安,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 23-23

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）