硅基GaN光电子及电力电子器件

摘要：

There is a great potential in cost reduction for optoelectronics and power electronics by epitaxially integratingⅢ-Nitride semiconductors on large diameter silicon.This paper presents the R&D of GaN-on-Silicon for blue/UV LED,laser diode,and high electron mobility transistors(HEMTs).The epitaxial integration of GaN on silicon was hindered by two major technical challenges.The large lattice mismatch between GaN and Si(～17％)often causes a high density of dislocation defects,and the huge misfit in the coefficient of thermal expansion(～54％)results in crack network formation in the GaN epitaxial film.

关键词： 硅基氮化镓 光电子器件 电力电子器件 产品开发

作者: 孙钱 刘建平 张立群 李德尧 张书明 杨辉

作者单位: 中科院/江苏省纳米器件重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所器件部;晶能光电有限公司 江苏省苏州工业园区若水路398号A630,215123 中科院/江苏省纳米器件重点实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所器件部

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 25-25

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）