基于叠层掩膜图形衬底的GaN及LED选区侧向外延
GaN基器件近些年来发展快速.基于性价比的考虑,蓝宝石和硅衬底仍然是用来外延GaN的首要选择.但是不可避免的异质衬底会带来的晶格和热失配,进而造成GaN外延层的高位错密度.位错往往会充当非辐射复合中心,漏电通道,影响器件的光电效率和寿命.对激光器,以及对位错敏感的UV和HEMT器件,降低位错就成了一个首要解决的问题，发展了一种基于叠层掩膜衬底的一次外延技术，可以将位错密度降低到一个非常有竞争力的水平。并且叠层掩膜衬底外延的GaN薄膜，低位错密度区从传统的只有翼区，扩展到现在的翼区和窗口区都是低位错密度区。薄膜质量，可利用面积和生产效率这三个掣肘因素都得到了一部分的提升。并且为其他大晶格失陪和热失配的异质外延提供可一个可选的有效途径。
氮化镓 发光二极管 外延生长 叠层掩膜图形衬底
季清赋 李磊 张威 严通行 谢亚宏 陈伟华 胡晓东
宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,北京,中国 材料科学与工程学院,加州大学洛杉矶分校,洛杉矶,美国
国内会议
苏州
中文
39-40
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）