AlGaN基紫外LED器件及高密封装技术研究进展
当前,AlGaN基紫外LED正成为世界各大公司(飞利浦、韩国LG等)和研究机构新的研究焦点之一.国内目前关于紫外LED的研究工作属于起步发展阶段,仍存在紫外发光功率低、可靠性差、寿命较低等许多问题亟需解决.本文中,主要通过MOCVD技术,研究和优化高Al组分AlGaN薄膜生长参数、掺杂工艺、量子阱结构设计与生长,获得了紫外LED外延结构材料,制备出了紫外LED倒装结构芯片,并且开展了基于紫外UVLED低热阻器件封装结构的设计及倒装焊封装技术的研发工作,为后续研制出实现面向紫外固化应用领域的高密UVLED器件奠定了坚实基础。
紫外发光二极管 氮化铝镓薄膜 生长性能 封装结构
戴江南 张建宝 张骏 吴峰 王帅 梁仁瓅 李乐 陈长清
华中科技大学/武汉光电国家实验室,武汉,430074 武汉优炜星科技有限公司,武汉,430075
国内会议
苏州
中文
57-57
2015-10-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)