基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管
作为Ⅲ族氮化物材料最鲜明的特点之一,极化效应在Ⅲ族氮化物微电子和光电子器件中扮演了十分重要的角色.在AlGaN/GaN突变结界面处由于极化效应产生的二维电子气是GaN HFET的工作基础.基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管器件表现出迥然不同的器件特性.本工作从AlGaN/GaN缓变异质结材料出发,开展极化掺杂场效应晶体管器件基础科学问题研究,实现了高线性和高效率的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管器件.结合缓变结材料独特的载流子分布和输运行为,研究了掺杂场效应晶体管的器件特性.
场效应晶体管 氮化铝镓 氮化镓 变异质结 载流子分布 输运行为
冯志红
专用集成电路国家级重点实验室,河北半导体研究所,石家庄,050051
国内会议
苏州
中文
94-94
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）