宽带隙半导体SiC器件表面界面基础问题研究进展
宽带隙半导体碳化硅(SiC)材料具有高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,在高耐压、高温高频和抗辐射器件方面能够实现硅材料无法实现的高功率和低损耗等优异性能,在电力系统、电动汽车、通讯、航天和军事等领域中具有广泛应用,成为当前广为关注的绿色环保型电子材料.采用大连理工大学具有自主知识产权的设备及技术，攻克MOS界面缺陷结构、钝化工艺及欧姆接触技术等多项关键技术和理论难题，取得研究进展，指出今后将继续研究新型界面缺陷及其钝化问题，尤其是浅施主界面态问题;表面缺陷及其钝化问题，尤其是碳团簇问题;氧化与缺陷问题，尤其是氧化的细致研究;缺陷与器件可靠性、高电场效应与器件可靠性;表面清洗、欧姆电极、氧化、MOS界面钝化等新技术的可靠性研究及实用化开发。
半导体碳化硅器件 欧姆接触 界面缺陷结构 钝化工艺
王德君
大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,辽宁大连,116024
国内会议
苏州
中文
97-98
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）