基于8英寸化合物半导体器件生产技术开发硅基氮化镓功率器件
基于化合物半导体器件生产技术,中航(重庆)微电子有限公司建立了国内首条8英寸硅基氮化镓器件生产线,并于近日成功开发出国内首例基于8英寸材料的氮化镓功率器件N1BH60010A.该器件实现了600伏特耐压及10安培直流输出电流,可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下高速电源、不间断电源、汽车电源、航空航天电源、太阳能发电等电源管理应用市场,提出了更紧凑、更高效的解决方案.中航微电子从2013年开始硅基氮化镓功率器件的研究，在国家02科技重大专项的支持下，目前已经建成独具特色的8英寸化合物半导体器件生产线，可以提供包括低电阻欧姆接触、低漏电表面钝化与隔离、低栅漏栅介质层淀积、大电流器件互联、8英寸硅基氮化镓晶片减薄与划片等在内的完整硅基氮化镓器件制造能力。与此同时，针对不同产品应用类型，公司正在开发包括传统TO系列功率器件封装、Flip-chip倒装和陶瓷金属封装等多种器件封装形式，满足市场需求。
硅基氮化镓功率器件 生产工艺 封装形式
袁理 肖霞 李华华 姜元琪 王云波 李君儒 郑晨焱 刘春华
中航(重庆)微电子有限公司,重庆,401331
国内会议
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102-103
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）