新型高压AlGaN沟道器件研究新进展
GaN高电子迁移率器件(GaN HEMTs)在微波射频和电力电子领域有着广阔的应用前景.为了追求更高的击穿特性,AlGaN沟道HEMTs器件正受到学术界的广泛关注.为了克服难以在衬底上直接外延出高质量AlGaN沟道材料的问题,本文提出采用GaN/AlGaN复合缓冲层的方法,使得器件的饱和电流从218提高到540mA/mm,开态电阻从31.2降低到8.1Ω·mm.此外,为了进一步抑制栅漏电并提高击穿特性,本文在国际上首次制备出AlGaN沟道MIS-HEMTs结构,成功实现了击穿电场高达1.8MV/cm(LGD=2μm),击穿电压高达1661V(LGD=20μm)的器件.
高电子迁移率器件 氮化铝镓 复合缓冲层 栅漏电 击穿特性
张进成 李祥东 张苇杭 江海清 邹瑜 郭振兴 郝跃
西安电子科技大学,宽带隙半导体技术国防重点学科实验室,西安,710071
国内会议
苏州
中文
104-104
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）