基于栅刻蚀的高性能增强型GaN MOSHEMT
增强型工作的实现仍然是氮化镓电力电子器件制备的难点,常规栅刻蚀工艺在沟道区域引入的损伤使得载流子的迁移率急剧降低,严重影响器件的导通电阻1,2.通过材料结构设计和器件工艺的配合,在硅基GaN异质结结构上实现了一种自停止、无损伤栅极刻蚀技术,极大的提高了增强型器件的导通特性,实现了可与耗尽型器件相比拟的导通电阻.制备的基于氧化铝栅介质的混合GaN MOSHEMT,最大输出电流达到630mA/mm,增强型沟道的峰值迁移率达到1400cm2/Vs,器件耐压达1400V,最大功率品质因数达756MW/cm2,是目前业界增强型硅基GaN场效应晶体管所能达到的新高度.
高电子迁移率晶体管 氮化镓 栅刻蚀 异质结结构
王茂傻 林书勋 桑飞 陶明 文正 郝一龙 沈波 程凯
北京大学微纳电子学研究院,北京,100871 北京大学物理学院,北京,100871 苏州晶湛半导体有限公司,苏州,215000
国内会议
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106-107
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）