硅基氮化镓横向栅控混合阳极功率二极管
AlGaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管是电力电子应用中不可或缺的器件,制造一个具有开启电压(VT低、反向漏电小(IR＜1μA/mm)和击穿电压(BV)高的二极管成为了设计者面临的主要挑战,本文提出了一种硅基氮化镓横向栅控混合阳极功率二极管新结构，器件开启电压仅有0.3V(@lmA/mm)，BV>1100V(IR<1μA/mm)，该二极管还与GaN HEMT工艺兼容，进一步可实现GaN功率模块的单片集成。
混合阳极功率二极管 硅基氮化镓 功率模块 单片集成
陈博文 周琦 张安邦 施媛媛 靳旸 陈万军 张波
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验,成都,610054
国内会议
苏州
中文
110-111
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）