基于p型GaN盖帽层的增强型HEMT制备及基本电学特性研究

摘要：

相比于传统的硅基MOSFET,基于AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率晶体管(HEMT)具有低导通电阻、高击穿电压、高开关频率等独特优势,从而能够在各类电力转换系统中作为核心器件使用,在节能减耗方面有重要的应用前景,因此受到学术界、工业界的极大重视.然而,由于Ⅲ族氮化物材料体系的极化效应,一般而言,基于AlGaN/GaN异质结的HEMT均是耗尽型(常开),该类型的器件应用于电路级系统中时,需要设计专门的负极性电源供给电路,以实现对器件的开关控制,这极大增加了电路的复杂性与成本.

关键词： 高电子迁移率晶体管 氮化镓盖帽层 制备工艺 电学特性

作者: 周宇 李水明 高宏伟 陈小雪 孙钱 杨辉

作者单位: 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123 中国科学院纳米器件与应用重点实验室,苏州,215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,215123;华中科技大学光学与电子信息学院,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 123-124

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）