一种碳化硅双极结型晶体管自适应驱动电路
作为新型半导体材料功率器件的代表,碳化硅双极结型晶体管(SiCBJT)相较硅基晶体管有许多独特的优势,如高电流增益、优良的耐高温可靠性、制作工艺简单以及无碳化硅栅氧可靠性问题,在军用以及日常应用中有着广泛的应用前景.但其作为电流型器件,即使在较大的电流增益系下,SiCBJT的驱动损耗仍然不可忽略.为了节省驱动功耗，一系列的驱动方式被使用。本文提出了一种SiCBJT的新型自适应驱动，通过建立从集电极电流到基极电流的的正反馈，基极电流能够等比例的跟随集电极电流，使得电流增益系数保持稳定，在简化了驱动电路并提高了电路的响应速度的同时也大大减少了基极稳态驱动功耗。通过斩波电路的实验结果表明，自适应驱动方式稳态功耗在轻载时仅为恒定基极电流驱动方式稳态功耗的30％。
碳化硅双极结型晶体管 自适应驱动电路 稳态功耗 响应速度
王俊 唐赛 廖淋圆 沈征
湖南大学电气与信息工程学院,长沙,410082
国内会议
苏州
中文
131-132
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）