宽禁带氧化物半导体薄膜与透明电子学

摘要：

氧化锌(ZnO)是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,禁带宽度3.37eV,在可见光区域是透明的,因而ZnO基氧化物薄膜是一种可用于制备透明电子器件的半导体材料.本文中,主要探讨ZnO:Al(AZO)和ZnAlSnO薄膜的生长、性能及其应用.这两种材料都是无In的,原料和产品成本低,符合可持续发展战略,具有很大的应用潜力.

关键词： 氧化锌基氧化物薄膜 生长性能 透明电子学

作者: 吕建国 江庆军 冯丽莎 叶志镇

作者单位: 浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,浙江杭州 310027

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

会议地点: 苏州

会议语种:中文

页码: 147-147

在线出版日期: 2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）