ZnON高迁移率薄膜的老化机制及退火优化研究
目前液晶显示或有机LED显示的背板驱动电路仍然以非晶硅或者低温多晶硅晶体管作为主要元件,但由于非晶硅的迁移率低(～1cm2/Vs)和多晶硅的均匀性差等缺点,硅基薄膜晶体管不能满足以高分辨率、大尺寸和高帧数为特点的下一代信息显示的要求.虽然IGZO基非晶氧化物薄膜晶体管成功解决了迁移率和均匀性问题,但其光照下稳定性问题及贵重金属In和Ga的消耗仍有待解决，本工作采用磁控溅射方法制备出迁移率高达72cm2V-ls-l的非晶ZnON薄膜，并通过退火优化制备出了高稳定性、高迁移率薄膜晶体管。研究发现，未退火样品暴露空气中易发生水解和氧化作用，由富N的ZnON逐渐向富O的ZnON薄膜转变，其迁移率、载流子浓度均急剧下降。为提高材料的热稳定性和化学稳定性，对材料进行了不同温度的退火优化条件的探索。实验表明，迁移率随退火温度的升高先增加后减小，
薄膜晶体管 氮氧锌薄膜 老化机制 退火工艺
程丽娜 叶建东 杨燚 徐蔚宗 汤琨 张荣 郑有炓
南京大学电子科学与工程学院和江苏省光电信息功能材料重点实验室 南京 210046
国内会议
苏州
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148-148
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）