直流磁控溅射制备低温高迁移率锆铟氧薄膜晶体管
近年来,由于氧化物薄膜晶体管(TFT)具有迁移率高、均匀性好、对可见光透明以及成本低等诸多优点广泛被应用于平板显示领域如有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵发光二极管(AMOLED).经过十多的发展,氧化物TFT的性能得到很大程度的地提高,其迁移率、电流开关比、阈值电压等方面的性能已经基本满足驱动AMLCD和AMOLED的需要.但高清、柔性显示时代的到来,对氧化物TFT的性能提出了更高的要求和挑战.本文成功制备了基于锆掺杂的氧化铟(ZrIn0)半导体有源层的TFT。图1为TFT结构示意图，其中栅极为室温下通过磁控溅射制备的铝钕合金(Al-Nd)，栅绝缘层为阳极氧化制备的Al203:Nd,有源层ZrIn0在室温下通过直流磁控溅射沉积，ITO源、漏电极在室温下通过磁控溅射沉积，无后退火处理，TFT器件的整个制备过程均在室温下进行。
高迁移率锆铟氧薄膜晶体管 锆掺杂 直流磁控溅射
肖鹏 董婷 兰林锋 罗东向 彭俊彪
发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州 510640
国内会议
苏州
中文
159-159
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）