高速直流磁控溅射非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管的研究
近年来,随着显示技术的迅速发展,非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管由于其较好的均匀性和高迁移率得到了广泛的应用.通常沉积IGZO薄膜技术主要为射频磁控溅射(RF),由于需要在溅射过程中放电,沉积速率较低,不利于提高生产效率,降低成本.而直流磁控溅射(DC)与RF相比,无放电过程,溅射速度快.采用DC制备了a-IGZO TFT,如图1.在相同功率条件下,沉积速率从RF的3.5nm/min提高到DC的30nm/min,实现了高速沉积IGZO薄膜.因为DC速度快，导致In,Ga,Zn,O没有充分的时间结合，弱结合氧较多，容易脱附形成氧空位，从而增加了载流子浓度，提高了器件性能。
非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管 直流磁控溅射 载流子浓度 器件性能
胡诗犇 朱峰 陶瑞强 刘贤哲 曾勇 姚日晖 徐苗 邹建华 陶洪 王磊 兰林锋 宁洪龙 彭俊彪
高分子光电材料与器件研究所,发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州 510640 高分子光电材料与器件研究所,发光材料与器件国家重点实验室,华南理工大学材料科学与工程学院,广州 510640;中国科学院红外物理国家重点实验室,上海 200083
国内会议
苏州
中文
171-171
2015-10-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）